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- MicroWave Technology，Inc。是RF& amp;的领先制造商。微波分立半导体产品，GaAs和GaN RF功率放大器，低噪声pHEMT器件，MMIC，无线放大器，混合模块和连接器化微波放大器。MicroWave Technology，Inc。（MwT）位于加利福尼亚州的硅谷，由技术负责人于1982年成立，在砷化镓（GaAs）器件设计和制造方面拥有丰富经验。该工厂占地35,000平方英尺，主要资产包括GaAs半导体工厂和混合芯片及有线微波集成电路（HMIC）制造工厂。垂直制造和产品强度为MwT在微波元件市场提供了不凡的灵活性和机会。
MwT是美国领先的离散砷化镓二极管和晶体管（FET，pHEMT和Gunn二极管）商业制造商。早期专注于器件可靠性的工作产生了专有的金属化系统，这使得MwT的器件不受氢污染的影响，现在是高可靠性行业非常关注的一个项目。这些器件采用专有的外延材料和四分之一微米凹陷栅极工艺技术，可实现高线性度（1 W P-1 dB无线放大器中的+48 dBm IP3）和低相位噪声（-125 dBc @ 100 KHz偏移，17.5 GHz DRO）设备，功率输出范围从10毫瓦到5瓦。这些器件以芯片或封装形式出售，在无线基础设施系统，工业射频应用以及各种国防和空间电子设备的信息传输或接收中，广泛用于10 MHz至40 GHz信号的放大。
通过利用MwT GaAs FET的低互调失真特性，该公司因其针对多载波和/或数字调制的高内部匹配模块化表面贴装发射和接收放大器模块产品线而享有越来越高的声誉（高线性度） ）无线基础设施和军事通信系统。主要应用是接收器前端和蜂窝，PCS和WLL基站以及军事高可靠性通信中的驱动器或微微蜂窝输出放大器。值得注意的新产品具有极低的输入和输出回波损耗，可在高度关键的高线性度功率放大器级联中轻松实现增益插入。 MwT为内部和外部客户提供高可靠性的薄膜电路处理能力。 MwT采用薄膜混合微电路结构，生产和销售各种标准模块化放大器产品至26 GHz。这些模块也是MwT的构建元件，用于设计和制造标准以及用于国防和电信应用的定制连接器放大器。
MwT拥有多年为客户创建专业设计的经验，并拥有庞大的基于MwT设备的定制设计库。 MwT使用其标准和定制版本的零件来生产专用放大器和板级产品。我们经验丰富的经验和业绩记录可以帮助您节省设计成本，时间和工程资源。示例包括低频LNA，无线LNA增强放大器，集成构建模块，高频振荡器，评估板和测试夹具。
