60V mosfet工作在4.4mΩ和58A

TK3R1P04PL，TK4R4P06PL和TK6R7P06PL N沟道MOSFET可以由4.5V的逻辑驱动，40V器件可以在栅极上提供低至3.1mΩ的导通电阻，具有10V。

它们来自DPAK，适用于电源转换应用，包括AC-DC转换器，DC-DC转换器和电机驱动器。

TK4R4P06PL是一个具有4.4mΩRDS（ON）最大值的60V器件，漏极电流额定值为58A（25ºC）。

TK3R1P04PL是具有3.1mΩRDS的40V器件_{（ON）最大值}，漏极电流额定值为58A（25ºC）。

TK6R7P06PL是另一个60V mosfet，电阻为6.7mΩ，额定值为46A。

该公司强调低输出电容 - TK4R4P06PL通常提供600pF。

典型栅极电容为3280pF。