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STT和东京电子共同开发ST-MRAM制造工艺

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STT的ST-MRAM技术和TEL的PVD MRAM沉积工具的结合将使公司开发ST-MRAM的工艺。

STT正在为其垂直磁隧道结(pMTJ)设计和器件制造技术做出贡献,TEL正在为其ST-MRAM沉积工具和磁膜的独特形成能力的知识作出贡献。

STT和TEL将展示比其他ST-MRAM解决方案更密集的解决方案,同时消除替代SRAM的障碍。

这些30nm以下的pMTJ比其他商业解决方案小40到50%,应该对先进的逻辑IC有吸引力,并且是制造DRAM级ST-MRAM器件的重要一步。

STT

STT首席执行官汤姆·斯托曼(Tom Sparkman)表示:“全球领先的ST-MRAM沉积设备供应商TEL表示:”行业已经超越了SRAM和DRAM的能力,使市场对下一代技术的开放。开发STT替代SRAM和DRAM的技术。我们相信ST-MRAM的采用将大大超出目前的期望,我们很高兴与TEL合作,通过实现行业需求的速度,密度和耐力来彻底改变ST-MRAM市场。“

东京电子

“与STT的专家团队,设备制造专业技术及其现场开发晶圆厂一起,我们预计将加速SRAM市场的高性能,高密度MRAM器件的发展,并最终推动DRAM替代市场。” TEL的Yoichi Ishikawa。