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ALD114913PAL
| EXSHINE 型号： | EX-ALD114913PAL |
|---|---|
| 制造商 型号： | ALD114913PAL |
| 制造商 / 品牌： | Advanced Linear Devices, Inc. |
| 简单描述： | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | ALD114(,9)813 |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
ALD114913PAL
有现货： 69810 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | 1.26V @ 1µA |
|---|---|
| 供应商设备封装 | 8-PDIP |
| 系列 | EPAD® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 500 Ohm @ 2.7V |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 其他名称 | 1014-1065 |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 10 Weeks |
| 制造商零件编号 | ALD114913PAL |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 2.5pF @ 5V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET特点 | Depletion Mode |
| 展开说明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 10.6V |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 12mA, 3mA |
其它参数
| 其他名称 | 1014-1065 |
|---|---|
| 标准包装 | 50 |
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Advanced Linear Devices Inc.介绍
- Advanced Linear Devices，Inc。（ALD）开发和制造超低功耗，精密CMOS模拟集成电路，相关板级产品以及采用该公司独有EPAD®技术的能量收集模块和配件。 ALD的标准半导体产品包括全套“同类最佳”超低电荷注入低压模拟开关，双斜率A / D转换器和数字处理器，精密电压比较器，精密轨到轨CMOS运算放大器，具有高放电输出的低漂移CMOS定时器，以及广泛选择的增强，耗尽和零阈值模式EPAD匹配的小信号MOSFET阵列。