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EPC2102ENG
| EXSHINE 型号： | EX-EPC2102ENG |
|---|---|
| 制造商 型号： | EPC2102ENG |
| 制造商 / 品牌： | EPC |
| 简单描述： | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | EPC2102 Preliminary Spec Sheet~ |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
EPC2102ENG
有现货： 54949 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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制造商交货时间：8-10周
- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | 2.5V @ 7mA |
|---|---|
| 供应商设备封装 | Die |
| 系列 | eGaN® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 4.4 mOhm @ 20A, 5V |
| 功率 - 最大 | - |
| 封装 | Tray |
| 封装/箱体 | Die |
| 其他名称 | 917-EPC2102ENG EPC2102ENGRH6 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商零件编号 | EPC2102ENG |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 830pF @ 30V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 6.8nC @ 5V |
| FET型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET特点 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 展开说明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 描述 | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 23A |
其它参数
| 标准包装 | 10 |
|---|---|
| 其他名称 | 917-EPC2102ENG EPC2102ENGRH6 |
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