图片仅供参考，请联系我们获取更多图片
BS12T-HD
| EXSHINE 型号： | EX-BS12T-HD |
|---|---|
| 制造商 型号： | BS12T-HD |
| 制造商 / 品牌： | MPD (Memory Protection Devices) |
| 简单描述： | 9V HD SNAP T STYLE 12" WIRE LEAD |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | BS12T-HD Drawing |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
BS12T-HD
有现货： 51454000 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
有现货： 51454000 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| 端接类型 | Wire Leads - 12" (304.8mm) |
|---|---|
| 样式 | Connector, Snap |
| 系列 | - |
| 工作温度 | - |
| 细胞数 | 1 |
| 安装类型 | Free Hanging |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 12 Weeks |
| 制造商零件编号 | BS12T-HD |
| 板上方高度 | - |
| 描述 | 9V HD SNAP T STYLE 12" WIRE LEAD |
| 电池类型，功能 | 9V, Snap Connector |
| 电池系列 | - |
| 电池大小 | 9V |
其它参数
| 标准包装 | 100 |
|---|
您可以选择以下付款方式。如有任何疑问，请联系我们的销售团队。
|
|
电汇（银行转帐） 接收：1-4天。 |
|
|
贝宝 接收：立即。 |
|
|
西联汇款 接收：1-2小时。 |
|
|
速汇金 接收：1-2小时。 |
|
|
支付宝 接收：立即。 |
您可以选择以下送货方式，请与我们的销售团队联系以检查送货到您地址的费用。
如果您不想使用我们的运输服务，也可以通过您的快递帐户安排从我们的仓库取货或运输。
 |
DHL快递 交货时间：1-3天。 |
 |
联邦快递 交货时间：1-3天。 |
 |
UPS快递 交货时间：2-4天。 |
 |
TNT快递 交货时间：3-6天。 |
 |
EMS快递 交货时间：7-10天。 |
相关产品
-
图片厂家编号制造商简单描述文档下载库存单价在线订购 -
BS12IMPD (Memory Protection Devices)SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE下载中心查看US$ 0.377在线询价 -
BS12TMPD (Memory Protection Devices)9V SNAP T STYLE 12" WIRE LEADS下载中心查看US$ 0.377在线询价 -
BS1300N-CRUILONNew Stocks BS1300N-C RUILON SMD or Through Hole查看在线询价 -
BS1300N-ARUILONNew Stocks BS1300N-A RUILON SMD or Through Hole查看在线询价 -
BS1300LRUILONNew Stocks BS1300L RUILON SMD or Through Hole查看在线询价 -
BS12I-HD-24AWGMPD (Memory Protection Devices)SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE HD下载中心查看US$ 0.541在线询价 -
BS128HE8VFAMD128 or 64 Megabit (8 M or 4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash查看在线询价 -
BS1300N-A1RUILONNew Stocks BS1300N-A1 RUILON SMD or Through Hole查看在线询价 -
BS12GRSABBS12GR SMD or Through Hole Original Package Stock查看在线询价 -
BS12I-NICADMPD (Memory Protection Devices)NICAD BATT 9V 3WIRE LEAD PL BODY下载中心查看在线询价 -
BS128HE9VFAMD128 or 64 Megabit (8 M or 4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash查看在线询价 -
BS13/13-H05VVF3G100-C13/250 BLACKFELLERBS13/13-H05VVF3G100-C13/250 BLACK SMD or Through Hole Original Package Stock查看在线询价 -
BS12T-MCMPD (Memory Protection Devices)9V SNAP T STYLE 12" WIRE W/COVER下载中心查看US$ 0.592在线询价 -
BS12I-MCMPD (Memory Protection Devices)SNAPS 9V 12" I-STYLE MOLDED下载中心查看US$ 0.541在线询价 -
BS1300KRUILONGBS1300K SMD Original Package Stock查看在线询价 -
BS12I-22MPD (Memory Protection Devices)9V SNAP I STYLE 12" WIRE LEADS下载中心查看US$ 0.541在线询价 -
BS1300MRUILONNew Stocks BS1300M RUILON SMD or Through Hole查看在线询价 -
BS128HE9VAMD128 or 64 Megabit (8 M or 4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash查看在线询价 -
BS1300L-ARUILONNew Stocks BS1300L-A RUILON SMD or Through Hole查看在线询价 -
BS1300NRUILONNew Stocks BS1300N RUILON SMD or Through Hole查看在线询价
MPD (Memory Protection Devices)介绍
- MEMSIC使用标准集成电路（IC）制造工艺设计和制造集成的微机电传感器（MEMS）。 MEMSIC将专有的基于热的MEMS技术和先进的模拟混合信号处理电路结合到一个芯片中。这使得MEMSIC能够以比大多数传统工艺低得多的成本生产高性能加速度计和其他MEMS器件。