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APTM120A65FT1G

EXSHINE 型号:EX-APTM120A65FT1G
制造商 型号:APTM120A65FT1G
制造商 / 品牌:Microsemi
简单描述:MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
无铅状态/ RoHS状态:无铅/符合RoHS
规格条件:New and unused, Original
文档下载:APTM120A65FT1GPower Products Catalog
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APTM120A65FT1G
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产品参数

VGS(TH)(最大)@标识 5V @ 2.5mA
供应商设备封装 SP1
系列 -
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 780 mOhm @ 14A, 10V
功率 - 最大 390W
封装 Bulk
封装/箱体 SP1
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 Chassis Mount
湿度敏感度(MSL) 1 (Unlimited)
制造商标准交货期 22 Weeks
制造商零件编号 APTM120A65FT1G
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds 7736pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs 300nC @ 10V
FET型 2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点 Standard
展开说明 Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 16A 390W Chassis Mount SP1
漏极至源极电压(Vdss) 1200V (1.2kV)
描述 MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
电流 - 25°C连续排水(Id) 16A

其它参数

标准包装 1

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