TDK的TAS系列角度传感器通过利用隧道磁阻(TMR)元件提供高输出,高精度和高稳定性。该TMR元件是使用通过生产HDD磁头积累的TDK薄膜技术开发的。 TMR元件由三层组成:针层,阻挡层和自由层。阻挡层由薄的绝缘体制成并且夹在销和自由层之间,两者均由铁磁材料制成。针层的磁化方向固定,自由层的磁化方向根据外部磁场方向而变化。当自由层和针层的磁化方向平行时,元件的电阻变小,导致大的电流流入势垒层。当自由层和针层反平行时,电阻变大,实际上没有电流流入势垒层。
当磁体在TMR传感器上旋转时,自由层的磁化方向遵循该磁体的磁场方向,并且元件的电阻连续变化。该电阻值与引脚层和自由层的磁化方向之间的相对角度成比例,这意味着元件可以用作360度的角度传感器。角度检测。
TDK的TAS系列TMR角度传感器的输出比AMR传感器的输出高出20倍,高于GMR传感器的6倍。 TAS系列还具有低功耗,低老化劣化,并且在宽的温度范围内保持稳定的角度精度(角度误差在±20°C至80mT的范围内的角度误差为±0.6°以下, 40℃至+ 150℃),使其非常适用于汽车和工业应用。
附加信息: TAS技术说明
特点和优点 | ||
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应用 | ||
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