EXSHINE 型号: | EX-NVMD6P02R2G |
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制造商 型号: | NVMD6P02R2G |
制造商 / 品牌: | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
简单描述: | MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC |
无铅状态/ RoHS状态: | 无铅/符合RoHS |
规格条件: | New and unused, Original |
文档下载: | NVMD6P02R2G |
应用: | - |
重量: | - |
可替代: | - |
VGS(TH)(最大)@标识 | 1.2V @ 250µA |
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供应商设备封装 | 8-SOIC |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
功率 - 最大 | 750mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
工作温度 | - |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 | 6 Weeks |
制造商零件编号 | NVMD6P02R2G |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 1700pF @ 16V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 35nC @ 4.5V |
FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
展开说明 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
描述 | MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 4.8A |
标准包装 | 2,500 |
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