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EXSHINE 型号: | EX-CPMF-1200-S080B |
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制造商 型号: | CPMF-1200-S080B |
制造商 / 品牌: | Cree |
简单描述: | MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE |
无铅状态/ RoHS状态: | 无铅/符合RoHS |
规格条件: | New and unused, Original |
文档下载: | CPMF-1200-S080B |
应用: | - |
重量: | - |
可替代: | - |
VGS(TH)(最大)@标识 | 4V @ 1mA |
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Vgs(最大) | +25V, -5V |
技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
供应商设备封装 | Die |
系列 | Z-FET™ |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 110 mOhm @ 20A, 20V |
功率耗散(最大) | 313mW (Tj) |
封装 | Bulk |
封装/箱体 | Die |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商零件编号 | CPMF-1200-S080B |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 1915pF @ 800V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 90.8nC @ 20V |
FET型 | N-Channel |
FET特点 | - |
展开说明 | N-Channel 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 20V |
漏极至源极电压(Vdss) | 1200V (1.2kV) |
描述 | MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 50A (Tj) |
标准包装 | 1 |
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