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HUFA75329D3ST
| EXSHINE 型号： | EX-HUFA75329D3ST |
|---|---|
| 制造商 型号： | HUFA75329D3ST |
| 制造商 / 品牌： | Fairchild/ON Semiconductor |
| 简单描述： | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | HUFA75329D3/D3S |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
HUFA75329D3ST
有现货： 96998 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | 4V @ 250µA |
|---|---|
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装 | TO-252AA |
| 系列 | UltraFET™ |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 26 mOhm @ 20A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 128W (Tc) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商零件编号 | HUFA75329D3ST |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 1060pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 65nC @ 20V |
| FET型 | N-Channel |
| FET特点 | - |
| 展开说明 | N-Channel 55V 20A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 20A (Tc) |
其它参数
| 标准包装 | 2,500 |
|---|
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Fairchild/ON Semiconductor介绍
- FDK集团旨在通过制造和供应满足客户需求的电子设备和电池，为实现富裕的电子社会做出贡献。为了与我们以客户为中心的方法保持一致，FDK提供产品以增加客户产品的价值和功能。我们的材料，电路和高密度技术已经培养了很长时间，并使用环保产品。我们努力在世界范围内被公认为关键和尖端设备的最佳供应商之一，并在促进环境保护的同时促进这些和新兴技术的进步。