EXSHINE 型号: | EX-GAP3SLT33-220FP |
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制造商 型号: | GAP3SLT33-220FP |
制造商 / 品牌: | GeneSiC Semiconductor |
简单描述: | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 |
无铅状态/ RoHS状态: | 无铅/符合RoHS |
规格条件: | New and unused, Original |
文档下载: | GAP3SLT33-220FP Datasheet |
应用: | - |
重量: | - |
可替代: | - |
电压 - 正向(Vf)(最大) | 1.7V @ 300mA |
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电压 - (Vr)(最大) | 3300V (3.3kV) |
供应商设备封装 | TO-220FP |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
系列 | - |
反向恢复时间(trr) | 0ns |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-220-2 Full Pack |
其他名称 | 1242-1183 GAP3SLT33220FP |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
安装类型 | Through Hole |
湿度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 | 18 Weeks |
制造商零件编号 | GAP3SLT33-220FP |
展开说明 | Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA Through Hole TO-220FP |
二极管类型 | Silicon Carbide Schottky |
描述 | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 |
电流 - Vr时反向漏电 | 5µA @ 3300V |
电流 - 平均整流(Io) | 300mA |
电容@ Vr,F时 | 42pF @ 1V, 1MHz |
其他名称 | 1242-1183 GAP3SLT33220FP |
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标准包装 | 500 |
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- Global Power Technologies Group,Inc。(“GPTG”)成立于2007年,是一家致力于基于碳化硅(SiC)技术的产品的综合开发和制造公司。这些产品将成为未来几年电力电子和能源行业的基础,需要先进的技术来实现低成本,高效率的发电,转换和传输。