GB01SLT12-220

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GB01SLT12-220

EXSHINE 型号:EX-GB01SLT12-220
制造商 型号:GB01SLT12-220
制造商 / 品牌:GeneSiC Semiconductor
简单描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
无铅状态/ RoHS状态:无铅/符合RoHS
规格条件:New and unused, Original
文档下载:GB01SLT12-220
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GB01SLT12-220
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产品参数

电压 - 正向(Vf)(最大) 1.8V @ 1A
电压 - (Vr)(最大) 1200V (1.2kV)
供应商设备封装 TO-220AC
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
系列 -
反向恢复时间(trr) 0ns
封装 Tube
封装/箱体 TO-220-2
其他名称 1242-1125
GB01SLT12220
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
安装类型 Through Hole
湿度敏感度(MSL) 1 (Unlimited)
制造商标准交货期 18 Weeks
制造商零件编号 GB01SLT12-220
展开说明 Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 1A Through Hole TO-220AC
二极管类型 Silicon Carbide Schottky
描述 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
电流 - Vr时反向漏电 2µA @ 1200V
电流 - 平均整流(Io) 1A
电容@ Vr,F时 69pF @ 1V, 1MHz

其它参数

其他名称 1242-1125

GB01SLT12220
标准包装 50

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GeneSiC Semiconductor介绍

- Global Power Technologies Group,Inc。(“GPTG”)成立于2007年,是一家致力于基于碳化硅(SiC)技术的产品的综合开发和制造公司。这些产品将成为未来几年电力电子和能源行业的基础,需要先进的技术来实现低成本,高效率的发电,转换和传输。

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