KBU6D

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KBU6D

EXSHINE 型号:EX-KBU6D
制造商 型号:KBU6D
制造商 / 品牌:GeneSiC Semiconductor
简单描述:DIODE BRIDGE 200V 6A KBU
无铅状态/ RoHS状态:无铅/符合RoHS
规格条件:New and unused, Original
文档下载:KBU6A-GBR-3,6,8,10; KBPC-W;KBU Pkg Dwg
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KBU6D
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产品参数

电压 - 峰值反向(最大) 200V
电压 - 正向(Vf)(最大) 1V @ 6A
技术 Standard
供应商设备封装 KBU
系列 -
封装 Bulk
封装/箱体 4-SIP, KBU
其他名称 1242-1260
KBU6DGN
KBU6DGN-ND
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型 Through Hole
湿度敏感度(MSL) 1 (Unlimited)
制造商标准交货期 4 Weeks
制造商零件编号 KBU6D
展开说明 Bridge Rectifier Single Phase 200V 6A Through Hole KBU
二极管类型 Single Phase
描述 DIODE BRIDGE 200V 6A KBU
电流 - Vr时反向漏电 10µA @ 200V
电流 - 平均整流(Io) 6A

其它参数

标准包装 300
其他名称 1242-1260

KBU6DGN

KBU6DGN-ND

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GeneSiC Semiconductor介绍

- Global Power Technologies Group,Inc。(“GPTG”)成立于2007年,是一家致力于基于碳化硅(SiC)技术的产品的综合开发和制造公司。这些产品将成为未来几年电力电子和能源行业的基础,需要先进的技术来实现低成本,高效率的发电,转换和传输。

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