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IXTP3N100D2
| EXSHINE 型号： | EX-IXTP3N100D2 |
|---|---|
| 制造商 型号： | IXTP3N100D2 |
| 制造商 / 品牌： | IXYS Corporation |
| 简单描述： | MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | IXT(A,P)3N100D2 |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
IXTP3N100D2
有现货： 23110 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | - |
|---|---|
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 系列 | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 5.5 Ohm @ 1.5A, 0V |
| 功率耗散（最大） | 125W (Tc) |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 8 Weeks |
| 制造商零件编号 | IXTP3N100D2 |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 1020pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 37.5nC @ 5V |
| FET型 | N-Channel |
| FET特点 | Depletion Mode |
| 展开说明 | N-Channel 1000V (1kV) 3A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开） | - |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 3A (Tc) |
其它参数
| 标准包装 | 50 |
|---|
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IXYS介绍
- IXYS Integrated Circuits Division，前身为Clare，Inc。，IXYS公司，为通信，工业，电源和消费者设计，制造和销售高压集成电路（IC）和光隔离固态继电器（OptoMOS®）市场。
作为固态继电器（SSR）发展的先驱，他们已成为电信，安全，公用事业计量和工业控制行业的领先供应商。 IXYS集成电路部门SSR解决方案正在迅速取代许多应用中的旧机电设备，并提高整体系统性能。他们继续开发能够提供更高集成度和电气性能的领先产品。