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IPI08CNE8N G
| EXSHINE 型号： | EX-IPI08CNE8N G |
|---|---|
| 制造商 型号： | IPI08CNE8N G |
| 制造商 / 品牌： | Infineon Technologies |
| 简单描述： | MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3 |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | IP(B,I,P)08CNE8N G |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
IPI08CNE8N G
有现货： 59920 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | 4V @ 130µA |
|---|---|
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 6.4 mOhm @ 95A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 167W (Tc) |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 其他名称 | SP000208927 SP000680708 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商零件编号 | IPI08CNE8N G |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 6690pF @ 40V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 99nC @ 10V |
| FET型 | N-Channel |
| FET特点 | - |
| 展开说明 | N-Channel 85V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 85V |
| 描述 | MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 95A (Tc) |
其它参数
| 其他名称 | SP000208927 SP000680708 |
|---|---|
| 标准包装 | 500 |
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