EXSHINE 型号: | EX-IRF7601TR |
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制造商 型号: | IRF7601TR |
制造商 / 品牌: | Infineon Technologies |
简单描述: | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 |
无铅状态/ RoHS状态: | 包含铅/ RoHS不兼容 |
规格条件: | New and unused, Original |
文档下载: | IRF7601 |
应用: | - |
重量: | - |
可替代: | - |
VGS(TH)(最大)@标识 | 700mV @ 250µA |
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技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | Micro8™ |
系列 | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
功率耗散(最大) | 1.8W (Ta) |
封装 | Original-Reel® |
封装/箱体 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
其他名称 | IRF7601DKR |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商零件编号 | IRF7601TR |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 650pF @ 15V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 22nC @ 4.5V |
FET型 | N-Channel |
FET特点 | - |
展开说明 | N-Channel 20V 5.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™ |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
描述 | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 5.7A (Ta) |
其他名称 | IRF7601DKR |
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标准包装 | 1 |
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