EXSHINE 型号: | EX-IRF8910TRPBF |
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制造商 型号: | IRF8910TRPBF |
制造商 / 品牌: | Infineon Technologies |
简单描述: | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC |
无铅状态/ RoHS状态: | 无铅/符合RoHS |
规格条件: | New and unused, Original |
文档下载: | IRF8910PbF |
应用: | - |
重量: | - |
可替代: | - |
VGS(TH)(最大)@标识 | 2.55V @ 250µA |
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供应商设备封装 | 8-SO |
系列 | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
功率 - 最大 | 2W |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名称 | IRF8910PBFTR IRF8910TRPBF-ND IRF8910TRPBFTR-ND SP001555820 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 | 16 Weeks |
制造商零件编号 | IRF8910TRPBF |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 960pF @ 10V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 11nC @ 4.5V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
展开说明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 10A |
标准包装 | 4,000 |
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其他名称 | IRF8910PBFTR IRF8910TRPBF-ND IRF8910TRPBFTR-ND SP001555820 |
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