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EM6M2T2R
| EXSHINE 型号： | EX-EM6M2T2R |
|---|---|
| 制造商 型号： | EM6M2T2R |
| 制造商 / 品牌： | LAPIS Semiconductor |
| 简单描述： | MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | EM6M2 |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
EM6M2T2R
有现货： 16312000 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | 1V @ 1mA |
|---|---|
| 供应商设备封装 | EMT6 |
| 系列 | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 1 Ohm @ 200mA, 4V |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 | SOT-563, SOT-666 |
| 其他名称 | EM6M2T2R-ND EM6M2T2RTR |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 10 Weeks |
| 制造商零件编号 | EM6M2T2R |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 25pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| FET型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 展开说明 | Mosfet Array N and P-Channel 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 200mA |
其它参数
| 标准包装 | 8,000 |
|---|---|
| 其他名称 | EM6M2T2R-ND EM6M2T2RTR |
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