EXSHINE 型号: | EX-IMB9AT110 |
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制造商 型号: | IMB9AT110 |
制造商 / 品牌: | LAPIS Semiconductor |
简单描述: | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
无铅状态/ RoHS状态: | 无铅/符合RoHS |
规格条件: | New and unused, Original |
文档下载: | EMB9, UMB9N, IMB9A |
应用: | - |
重量: | - |
可替代: | - |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
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Vce饱和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 250µA, 5mA |
晶体管类型 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
供应商设备封装 | SMT6 |
系列 | - |
电阻 - 发射极基(R 2)(欧姆) | 47k |
电阻 - 基(R 1)(欧姆) | 10k |
功率 - 最大 | 300mW |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | SC-74, SOT-457 |
其他名称 | IMB9AT110-ND IMB9AT110TR |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商零件编号 | IMB9AT110 |
频率 - 转换 | 250MHz |
展开说明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce | 68 @ 5mA, 5V |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
电流 - 集电极(Ic)(最大) | 100mA |
标准包装 | 3,000 |
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其他名称 | IMB9AT110-ND IMB9AT110TR |
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