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US6M2TR
| EXSHINE 型号： | EX-US6M2TR |
|---|---|
| 制造商 型号： | US6M2TR |
| 制造商 / 品牌： | LAPIS Semiconductor |
| 简单描述： | MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | US6M2 |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
US6M2TR
有现货： 61454000 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | 1.5V @ 1mA |
|---|---|
| 供应商设备封装 | TUMT6 |
| 系列 | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 | 6-SMD, Flat Leads |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 10 Weeks |
| 制造商零件编号 | US6M2TR |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 80pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 2.2nC @ 4.5V |
| FET型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Standard |
| 展开说明 | Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V, 20V |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 1.5A, 1A |
其它参数
| 标准包装 | 3,000 |
|---|
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