APT66M60B2 Microsemi Corporation - APT66M60B2 全新原装现货

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APT66M60B2

EXSHINE 型号：	EX-APT66M60B2
制造商型号：	APT66M60B2
制造商 / 品牌：	Microsemi
简单描述：	MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
无铅状态/ RoHS状态：	无铅/符合RoHS
规格条件：	New and unused, Original
文档下载：	Power Products Catalog APT66M60(B2,L)
应用：	-
重量：	-
可替代：	-

的实时可用性

APT66M60B2
有现货： 54920 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周

VGS（TH）（最大）@标识	5V @ 2.5mA
技术	MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装	T-MAX™ [B2]
系列	-
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压	100 mOhm @ 33A, 10V
功率耗散（最大）	1135W (Tc)
封装	Tube
封装/箱体	TO-247-3 Variant
其他名称	APT66M60B2MI APT66M60B2MI-ND
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型	Through Hole
湿度敏感度（MSL）	1 (Unlimited)
制造商标准交货期	22 Weeks
制造商零件编号	APT66M60B2
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds	13190pF @ 25V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs	330nC @ 10V
FET型	N-Channel
FET特点	-
展开说明	N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
漏极至源极电压（Vdss）	600V
描述	MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
电流 - 25°C连续排水（Id）	70A (Tc)

标准包装	30
其他名称	APT66M60B2MI APT66M60B2MI-ND

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