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APT70GR65B2SCD30
| EXSHINE 型号： | EX-APT70GR65B2SCD30 |
|---|---|
| 制造商 型号： | APT70GR65B2SCD30 |
| 制造商 / 品牌： | Microsemi |
| 简单描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | APT70GR65B2SCD30 |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
APT70GR65B2SCD30
有现货： 46680 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 650V |
|---|---|
| 的VCE（on）（最大）@ VGE，IC | 2.4V @ 15V, 70A |
| 测试条件 | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td（开/关）@ 25°C | 19ns/170ns |
| 供应商设备封装 | T-MAX™ [B2] |
| 系列 | * |
| 功率 - 最大 | 595W |
| 封装 | Bulk |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 22 Weeks |
| 制造商零件编号 | APT70GR65B2SCD30 |
| IGBT类型 | NPT |
| 栅极电荷 | 305nC |
| 展开说明 | IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2] |
| 描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| 电流 - 集电极脉冲（ICM） | 260A |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大） | 134A |
其它参数
| 标准包装 | 1 |
|---|
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Microsemi Corporation介绍
- Micro / sys提供多种处理器选择，从经济高效的基于80C188的计算机到基于奔腾的电源，以及支持外围设备和I / O产品。
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