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APTC80H29T3G
| EXSHINE 型号： | EX-APTC80H29T3G |
|---|---|
| 制造商 型号： | APTC80H29T3G |
| 制造商 / 品牌： | Microsemi |
| 简单描述： | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3 |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | 1 |
| 文档下载： | APTC80H29T3GPower Products Catalog |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
APTC80H29T3G
有现货： 14760 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | 3.9V @ 1mA |
|---|---|
| 供应商设备封装 | SP3 |
| 系列 | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 290 mOhm @ 7.5A, 10V |
| 功率 - 最大 | 156W |
| 封装 | Bulk |
| 封装/箱体 | SP3 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 22 Weeks |
| 制造商零件编号 | APTC80H29T3G |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 2254pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 90nC @ 10V |
| FET型 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET特点 | Standard |
| 展开说明 | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP3 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 800V |
| 描述 | MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 15A |
其它参数
| 标准包装 | 1 |
|---|
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Microsemi Corporation介绍
- Micro / sys提供多种处理器选择，从经济高效的基于80C188的计算机到基于奔腾的电源，以及支持外围设备和I / O产品。
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