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JAN1N5809US
| EXSHINE 型号： | EX-JAN1N5809US |
|---|---|
| 制造商 型号： | JAN1N5809US |
| 制造商 / 品牌： | Microsemi |
| 简单描述： | DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 包含铅/ RoHS不兼容 |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | 1N5807,09,11 US/URS |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
JAN1N5809US
有现货： 14870 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| 电压 - 正向（Vf）（最大） | 875mV @ 4A |
|---|---|
| 电压 - （Vr）（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | B, SQ-MELF |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| 系列 | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| 反向恢复时间（trr） | 30ns |
| 封装 | Bulk |
| 封装/箱体 | SQ-MELF, B |
| 其他名称 | 1086-2125 1086-2125-MIL |
| 工作温度 - 结 | -65°C ~ 175°C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 8 Weeks |
| 制造商零件编号 | JAN1N5809US |
| 展开说明 | Diode Standard 100V 6A Surface Mount B, SQ-MELF |
| 二极管类型 | Standard |
| 描述 | DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 5µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流（Io） | 6A |
| 电容@ Vr，F时 | 60pF @ 10V, 1MHz |
其它参数
| 标准包装 | 1 |
|---|---|
| 其他名称 | 1086-2125 1086-2125-MIL |
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Microsemi Corporation介绍
- Micro / sys提供多种处理器选择，从经济高效的基于80C188的计算机到基于奔腾的电源，以及支持外围设备和I / O产品。
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