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VGS(TH)(最大)@标识 | 4V @ 250µA |
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技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | TO-39 |
系列 | Military, MIL-PRF-19500/564 |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 320 mOhm @ 6.5A, 10V |
功率耗散(最大) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
封装 | Bulk |
封装/箱体 | TO-205AF Metal Can |
其他名称 | JAN2N6849-MIL |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Through Hole |
湿度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商零件编号 | JAN2N6849 |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | - |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 34.8nC @ 10V |
FET型 | P-Channel |
FET特点 | - |
展开说明 | P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
描述 | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39 |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 6.5A (Tc) |
其他名称 | JAN2N6849-MIL |
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标准包装 | 1 |
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