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VGS(TH)(最大)@标识 | 4V @ 250µA |
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供应商设备封装 | MO-036AB |
系列 | Military, MIL-PRF-19500/597 |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 700 mOhm @ 600mA, 10V |
功率 - 最大 | 1.4W |
封装 | Bulk |
封装/箱体 | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
其他名称 | JANTXV2N7334-MIL |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Through Hole |
湿度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商零件编号 | JANTXV2N7334 |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | - |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 60nC @ 10V |
FET型 | 4 N-Channel |
FET特点 | Standard |
展开说明 | Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
描述 | MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 1A |
标准包装 | 1 |
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其他名称 | JANTXV2N7334-MIL |
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