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PHK04P02T,518
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制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | 600mV @ 1mA |
|---|---|
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 系列 | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 120 mOhm @ 1A, 4.5V |
| 功率耗散（最大） | 5W (Tc) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 其他名称 | 1727-2156-2 568-11870-2-ND 568-12317-2-ND 934057290518 PHK04P02T /T3 PHK04P02T /T3-ND PHK04P02T,518-ND |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL） | 2 (1 Year) |
| 制造商标准交货期 | 16 Weeks |
| 制造商零件编号 | PHK04P02T,518 |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 528pF @ 12.8V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 7.2nC @ 4.5V |
| FET型 | P-Channel |
| FET特点 | - |
| 展开说明 | P-Channel 16V 4.66A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开） | 2.5V, 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 16V |
| 描述 | MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 4.66A (Tc) |
其它参数
| 标准包装 | 2,500 |
|---|---|
| 其他名称 | 1727-2156-2 568-11870-2-ND 568-12317-2-ND 934057290518 PHK04P02T /T3 PHK04P02T /T3-ND PHK04P02T,518-ND |
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Nexperia USA Inc.介绍
- 60多年来，Nichicon一直致力于通过平衡先进技术，严格的质量控制措施和卓越的服务，成为“客户的宝贵供应商”。我们不断研究和实施创新技术，直接使客户受益，同时提供业内最广泛的铝电解电容器。我们还在全球范围内提供最广泛的导电聚合物电容器。
在竞争激烈的电子市场中，Nichicon的“零缺陷”理念确保我们的组件能够承受各种应用。我们为各种电容器感到自豪，包括表面贴装，卡入式，通孔和螺钉端子。此外，我们公司坚持最严格的环境标准，包括仅生产符合RoHS和REACH标准的组件。