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PMDPB58UPE,115
| EXSHINE 型号： | EX-PMDPB58UPE,115 |
|---|---|
| 制造商 型号： | PMDPB58UPE,115 |
| 制造商 / 品牌： | Nexperia |
| 简单描述： | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | PMDPB58UPE |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
PMDPB58UPE,115
有现货： 65702000 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | 950mV @ 250µA |
|---|---|
| 供应商设备封装 | DFN2020-6 |
| 系列 | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 67 mOhm @ 2A, 4.5V |
| 功率 - 最大 | 515mW |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 | 6-UDFN Exposed Pad |
| 其他名称 | 1727-1237-2 568-10442-2 568-10442-2-ND 934066845115 PMDPB58UPE,115-ND |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商零件编号 | PMDPB58UPE,115 |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 804pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 9.5nC @ 4.5V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 展开说明 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.6A 515mW Surface Mount DFN2020-6 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 3.6A |
其它参数
| 其他名称 | 1727-1237-2 568-10442-2 568-10442-2-ND 934066845115 PMDPB58UPE,115-ND |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
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Nexperia USA Inc.介绍
- 60多年来，Nichicon一直致力于通过平衡先进技术，严格的质量控制措施和卓越的服务，成为“客户的宝贵供应商”。我们不断研究和实施创新技术，直接使客户受益，同时提供业内最广泛的铝电解电容器。我们还在全球范围内提供最广泛的导电聚合物电容器。
在竞争激烈的电子市场中，Nichicon的“零缺陷”理念确保我们的组件能够承受各种应用。我们为各种电容器感到自豪，包括表面贴装，卡入式，通孔和螺钉端子。此外，我们公司坚持最严格的环境标准，包括仅生产符合RoHS和REACH标准的组件。