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2SK1058-E
| EXSHINE 型号： | EX-2SK1058-E |
|---|---|
| 制造商 型号： | 2SK1058-E |
| 制造商 / 品牌： | Renesas Electronics America |
| 简单描述： | MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | 2SK1056/7/8 |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
2SK1058-E
有现货： 16140 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | - |
|---|---|
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装 | TO-3P |
| 系列 | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | - |
| 功率耗散（最大） | 100W (Tc) |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 16 Weeks |
| 制造商零件编号 | 2SK1058-E |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 600pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| FET型 | N-Channel |
| FET特点 | - |
| 展开说明 | N-Channel 160V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 160V |
| 描述 | MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 7A (Ta) |
其它参数
| 标准包装 | 1 |
|---|
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Renesas Electronics America介绍
- RF Digital制造了一系列可配置的无线射频发射器，接收器和收发器模块，适用于几乎所有类型的应用。这些模块完全集成，高质量和低成本，使任何应用程序受益。 RFDuino产品系列提供了广泛的模块阵容，包括传感器，USB，原型屏蔽等，以便在即插即用原型环境中测试蓝牙低功耗。