STB28N65M2

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STB28N65M2

EXSHINE 型号:EX-STB28N65M2
制造商 型号:STB28N65M2
制造商 / 品牌:STMicroelectronics
简单描述:MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
无铅状态/ RoHS状态:无铅/符合RoHS
规格条件:New and unused, Original
文档下载:STx28N65M2
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STB28N65M2
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产品参数

VGS(TH)(最大)@标识 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装 D2PAK
系列 MDmesh™ M2
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 180 mOhm @ 10A, 10V
功率耗散(最大) 170W (Tc)
封装 Tape & Reel (TR)
封装/箱体 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名称 497-15456-2
工作温度 150°C (TJ)
安装类型 Surface Mount
湿度敏感度(MSL) 1 (Unlimited)
制造商标准交货期 22 Weeks
制造商零件编号 STB28N65M2
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds 1440pF @ 100V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs 35nC @ 10V
FET型 N-Channel
FET特点 -
展开说明 N-Channel 650V 20A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V
漏极至源极电压(Vdss) 650V
描述 MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
电流 - 25°C连续排水(Id) 20A (Tc)

其它参数

其他名称 497-15456-2
标准包装 1,000

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STMicroelectronics介绍

- 风暴接口 - 公司的宗旨:开发,制造和销售坚固耐用,响应迅速的数据输入设备,用于各种工业和公共应用。
Keymat Technology Ltd.成立于1986年3月,是一家英国私营注册公司。它总部位于伦敦西部自己的永久业权场所,距离希思罗机场以北仅4英里。该公司的生产部门“Storm Manufacturing”位于英格兰东海岸的Maldon,其北美销售部门位于伊利诺伊州Glen Ellyn,就在芝加哥郊外。
该公司开发的核心交换技术受到国际专利和专利申请的保护。这些技术不断开发并融入新的创新产品中,以增强和补充已有的产品系列。
这种持续发展的战略使该公司能够在一个强大的商标“STORM”下销售更广泛的数据输入产品。这些是高端品牌产品,反映了当今军事,医疗,工业和公共环境所要求的严格工程和性能标准。

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