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STW22NM60N
| EXSHINE 型号： | EX-STW22NM60N |
|---|---|
| 制造商 型号： | STW22NM60N |
| 制造商 / 品牌： | STMicroelectronics |
| 简单描述： | MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | STx22NM60N |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
STW22NM60N
有现货： 88245 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | 4V @ 250µA |
|---|---|
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 |
| 系列 | MDmesh™ II |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 220 mOhm @ 8A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 125W (Tc) |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 其他名称 | 497-10998-5 STW22NM60N-ND |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商零件编号 | STW22NM60N |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 1330pF @ 50V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 44nC @ 10V |
| FET型 | N-Channel |
| FET特点 | - |
| 展开说明 | N-Channel 600V 16A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 16A (Tc) |
其它参数
| 其他名称 | 497-10998-5 STW22NM60N-ND |
|---|---|
| 标准包装 | 30 |
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STMicroelectronics介绍
- 风暴接口 - 公司的宗旨：开发，制造和销售坚固耐用，响应迅速的数据输入设备，用于各种工业和公共应用。
Keymat Technology Ltd.成立于1986年3月，是一家英国私营注册公司。它总部位于伦敦西部自己的永久业权场所，距离希思罗机场以北仅4英里。该公司的生产部门“Storm Manufacturing”位于英格兰东海岸的Maldon，其北美销售部门位于伊利诺伊州Glen Ellyn，就在芝加哥郊外。
该公司开发的核心交换技术受到国际专利和专利申请的保护。这些技术不断开发并融入新的创新产品中，以增强和补充已有的产品系列。
这种持续发展的战略使该公司能够在一个强大的商标“STORM”下销售更广泛的数据输入产品。这些是高端品牌产品，反映了当今军事，医疗，工业和公共环境所要求的严格工程和性能标准。