EXSHINE 型号: | EX-CSD25211W1015 |
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制造商 型号: | CSD25211W1015 |
制造商 / 品牌: | Texas Instruments |
简单描述: | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
无铅状态/ RoHS状态: | 无铅/符合RoHS |
规格条件: | New and unused, Original |
文档下载: | CSD25211W1015 |
应用: | - |
重量: | - |
可替代: | - |
VGS(TH)(最大)@标识 | 1.1V @ 250µA |
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Vgs(最大) | -6V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | 6-DSBGA (1x1.5) |
系列 | NexFET™ |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
功率耗散(最大) | 1W (Ta) |
封装 | Original-Reel® |
封装/箱体 | 6-UFBGA, DSBGA |
其他名称 | 296-36578-6 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 | 7 Weeks |
制造商零件编号 | CSD25211W1015 |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 570pF @ 10V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
FET型 | P-Channel |
FET特点 | - |
展开说明 | P-Channel 20V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 2.5V, 4.5V |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
描述 | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 3.2A (Ta) |
标准包装 | 1 |
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其他名称 | 296-36578-6 |
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