EXSHINE 型号: | EX-SSM6P49NU,LF |
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制造商 型号: | SSM6P49NU,LF |
制造商 / 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
简单描述: | MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A |
无铅状态/ RoHS状态: | 无铅/符合RoHS |
规格条件: | New and unused, Original |
文档下载: | SSM6P49NU |
应用: | - |
重量: | - |
可替代: | - |
VGS(TH)(最大)@标识 | 1.2V @ 1mA |
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供应商设备封装 | 6-UDFN (2x2) |
系列 | - |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 45 mOhm @ 3.5A, 10V |
功率 - 最大 | 1W |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | 6-WDFN Exposed Pad |
其他名称 | SSM6P49NU,LF(B SSM6P49NU,LF(T SSM6P49NULF SSM6P49NULF(TTR SSM6P49NULF(TTR-ND SSM6P49NULFTR |
工作温度 | 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 | 12 Weeks |
制造商零件编号 | SSM6P49NU,LF |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 480pF @ 10V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 6.74nC @ 4.5V |
FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
展开说明 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN (2x2) |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
描述 | MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 4A |
其他名称 | SSM6P49NU,LF(B SSM6P49NU,LF(T SSM6P49NULF SSM6P49NULF(TTR SSM6P49NULF(TTR-ND SSM6P49NULFTR |
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标准包装 | 3,000 |
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- Touchstone Semiconductor Inc.创建高性能模拟集成电路(IC)解决方案,解决电子公司的关键问题。我们的专有产品提供功能和性能的独特组合,这在模拟市场的其他地方是找不到的。我们的第二源产品与引脚兼容且规格与竞争产品相同,为难以安全的单一来源产品提供了理想的替代方案。 Touchstone成立于2010年,总部位于加州米尔皮塔斯,其投资者包括Opus Capital和Khosla Ventures。
我们在Touchstone Semiconductor的使命是设计出酷炫的高性能模拟IC,帮助您解决客户的问题。我们通过开发可降低产品功耗的超低功耗高性能模拟IC来实现这一目标。