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TPN2010FNH,L1Q
| EXSHINE 型号： | EX-TPN2010FNH,L1Q |
|---|---|
| 制造商 型号： | TPN2010FNH,L1Q |
| 制造商 / 品牌： | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 简单描述： | MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | TPN2010FNH |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
TPN2010FNH,L1Q
有现货： 87182000 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | 4V @ 200µA |
|---|---|
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装 | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| 系列 | U-MOSVIII-H |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 198 mOhm @ 2.8A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 | 8-PowerVDFN |
| 其他名称 | TPN2010FNH,L1Q(M TPN2010FNHL1QTR |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 12 Weeks |
| 制造商零件编号 | TPN2010FNH,L1Q |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 600pF @ 100V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 7nC @ 10V |
| FET型 | N-Channel |
| FET特点 | - |
| 展开说明 | N-Channel 250V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开） | 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 250V |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 5.6A (Ta) |
其它参数
| 标准包装 | 5,000 |
|---|---|
| 其他名称 | TPN2010FNH,L1Q(M TPN2010FNHL1QTR |
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Toshiba Semiconductor and Storage介绍
- Touchstone Semiconductor Inc.创建高性能模拟集成电路（IC）解决方案，解决电子公司的关键问题。我们的专有产品提供功能和性能的独特组合，这在模拟市场的其他地方是找不到的。我们的第二源产品与引脚兼容且规格与竞争产品相同，为难以安全的单一来源产品提供了理想的替代方案。 Touchstone成立于2010年，总部位于加州米尔皮塔斯，其投资者包括Opus Capital和Khosla Ventures。
我们在Touchstone Semiconductor的使命是设计出酷炫的高性能模拟IC，帮助您解决客户的问题。我们通过开发可降低产品功耗的超低功耗高性能模拟IC来实现这一目标。