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TPD3215M
| EXSHINE 型号： | EX-TPD3215M |
|---|---|
| 制造商 型号： | TPD3215M |
| 制造商 / 品牌： | Transphorm |
| 简单描述： | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | TPD3215M |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
TPD3215M
有现货： 9690 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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制造商交货时间：8-10周
- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | - |
|---|---|
| 供应商设备封装 | Module |
| 系列 | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 34 mOhm @ 30A, 8V |
| 功率 - 最大 | 470W |
| 封装 | Bulk |
| 封装/箱体 | Module |
| 其他名称 | TPH3215M TPH3215M-ND |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 14 Weeks |
| 制造商零件编号 | TPD3215M |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 2260pF @ 100V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 28nC @ 8V |
| FET型 | GaNFET N-Channel, Gallium Nitride |
| FET特点 | Standard |
| 展开说明 | Mosfet Array GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 描述 | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 70A (Tc) |
其它参数
| 其他名称 | TPH3215M TPH3215M-ND |
|---|---|
| 标准包装 | 1 |
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Transphorm介绍
- 自1992年以来，Trenz Electronic GmbH一直作为电子行业开发服务的提供商。我们的服务包括设计支持以及交钥匙设计，通常涵盖从产品规格，硬件和软件设计到原型设计和生产的所有步骤。我们特别擅长设计基于FPGA和CPU架构的高速数据采集，高精度测量和嵌入式数字信号处理系统。
客户受益于我们专注于工业环境中嵌入式系统的工程专业知识，以及基于PC的过程控制和测量系统。我们的开发服务由基于FPGA和MCU的开发板和工具补充。如果现成的FPGA板不能满足客户的要求，我们的综合工程设计服务可以轻松调整设计。 OEM FPGA模块的生产和供应完善了产品组合。 Trenz Electronic帮助企业从工业应用中的FPGA技术中受益，以实现关键业务目标。