EXSHINE 型号: | EX-SI4100DY-T1-GE3 |
---|---|
制造商 型号: | SI4100DY-T1-GE3 |
制造商 / 品牌: | Vishay / Siliconix |
简单描述: | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC |
无铅状态/ RoHS状态: | 无铅/符合RoHS |
规格条件: | New and unused, Original |
文档下载: | SI4100DY |
应用: | - |
重量: | - |
可替代: | - |
VGS(TH)(最大)@标识 | 4.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs(最大) | ±20V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | 8-SO |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 63 mOhm @ 4.4A, 10V |
功率耗散(最大) | 2.5W (Ta), 6W (Tc) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名称 | SI4100DY-T1-GE3-ND SI4100DY-T1-GE3TR SI4100DYT1GE3 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 | 24 Weeks |
制造商零件编号 | SI4100DY-T1-GE3 |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 600pF @ 50V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 20nC @ 10V |
FET型 | N-Channel |
FET特点 | - |
展开说明 | N-Channel 100V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 6V, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
描述 | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 6.8A (Tc) |
标准包装 | 2,500 |
---|---|
其他名称 | SI4100DY-T1-GE3-ND SI4100DY-T1-GE3TR SI4100DYT1GE3 |
|
电汇(银行转帐) 接收:1-4天。 |
|
贝宝 接收:立即。 |
|
西联汇款 接收:1-2小时。 |
|
速汇金 接收:1-2小时。 |
|
支付宝 接收:立即。 |
![]() |
DHL快递 交货时间:1-3天。 |
![]() |
联邦快递 交货时间:1-3天。 |
![]() |
UPS快递 交货时间:2-4天。 |
![]() |
TNT快递 交货时间:3-6天。 |
![]() |
EMS快递 交货时间:7-10天。 |
- Vishay的产品组合是无与伦比的分立半导体(二极管,MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器,电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业,计算机,汽车,消费,电信,军事,航空航天和医疗市场中的所有类型的电子设备和设备。 Vishay很自豪能成为exshinetech.com的主要合作伙伴。