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SI4825DY-T1-GE3
| EXSHINE 型号： | EX-SI4825DY-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 型号： | SI4825DY-T1-GE3 |
| 制造商 / 品牌： | Vishay / Siliconix |
| 简单描述： | MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | Si4825DY |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
SI4825DY-T1-GE3
有现货： 79644 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | 3V @ 250µA |
|---|---|
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 系列 | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 14 mOhm @ 11.5A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 1.5W (Ta) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 其他名称 | SI4825DY-T1-GE3TR |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商零件编号 | SI4825DY-T1-GE3 |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 71nC @ 10V |
| FET型 | P-Channel |
| FET特点 | - |
| 展开说明 | P-Channel 30V 8.1A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 8.1A (Ta) |
其它参数
| 标准包装 | 2,500 |
|---|---|
| 其他名称 | SI4825DY-T1-GE3TR |
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Vishay Siliconix介绍
- Vishay的产品组合是无与伦比的分立半导体（二极管，MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器，电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业，计算机，汽车，消费，电信，军事，航空航天和医疗市场中的所有类型的电子设备和设备。 Vishay很自豪能成为exshinetech.com的主要合作伙伴。