EXSHINE 型号: | EX-SI8469DB-T2-E1 |
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制造商 型号: | SI8469DB-T2-E1 |
制造商 / 品牌: | Vishay / Siliconix |
简单描述: | MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO |
无铅状态/ RoHS状态: | 无铅/符合RoHS |
规格条件: | New and unused, Original |
文档下载: | SI8469DB-T2-E1 |
应用: | - |
重量: | - |
可替代: | - |
VGS(TH)(最大)@标识 | 800mV @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±5V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
供应商设备封装 | 4-Microfoot |
系列 | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压 | 64 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
功率耗散(最大) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
封装 | Tape & Reel (TR) |
封装/箱体 | 4-UFBGA |
其他名称 | SI8469DB-T2-E1-ND SI8469DB-T2-E1TR |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型 | Surface Mount |
湿度敏感度(MSL) | 1 (Unlimited) |
制造商标准交货期 | 24 Weeks |
制造商零件编号 | SI8469DB-T2-E1 |
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds | 900pF @ 4V |
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs | 17nC @ 4.5V |
FET型 | P-Channel |
FET特点 | - |
展开说明 | P-Channel 8V 4.6A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 4.5V |
漏极至源极电压(Vdss) | 8V |
描述 | MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO |
电流 - 25°C连续排水(Id) | 4.6A (Ta) |
标准包装 | 3,000 |
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其他名称 | SI8469DB-T2-E1-ND SI8469DB-T2-E1TR |
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