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SIR418DP-T1-GE3
| EXSHINE 型号： | EX-SIR418DP-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 型号： | SIR418DP-T1-GE3 |
| 制造商 / 品牌： | Vishay / Siliconix |
| 简单描述： | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | SIR418DP |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
SIR418DP-T1-GE3
有现货： 16006000 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 系列 | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | 5 mOhm @ 20A, 10V |
| 功率耗散（最大） | 39W (Tc) |
| 封装 | Original-Reel® |
| 封装/箱体 | PowerPAK® SO-8 |
| 其他名称 | SIR418DP-T1-GE3DKR |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期 | 24 Weeks |
| 制造商零件编号 | SIR418DP-T1-GE3 |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | 2410pF @ 20V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | 75nC @ 10V |
| FET型 | N-Channel |
| FET特点 | - |
| 展开说明 | N-Channel 40V 40A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开） | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 40A (Tc) |
其它参数
| 其他名称 | SIR418DP-T1-GE3DKR |
|---|---|
| 标准包装 | 1 |
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Vishay Siliconix介绍
- Vishay的产品组合是无与伦比的分立半导体（二极管，MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器，电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业，计算机，汽车，消费，电信，军事，航空航天和医疗市场中的所有类型的电子设备和设备。 Vishay很自豪能成为exshinetech.com的主要合作伙伴。