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SI8900EDB-T2-E1
| EXSHINE 型号： | EX-SI8900EDB-T2-E1 |
|---|---|
| 制造商 型号： | SI8900EDB-T2-E1 |
| 制造商 / 品牌： | Vishay / Siliconix |
| 简单描述： | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP |
| 无铅状态/ RoHS状态： | 无铅/符合RoHS |
| 规格条件： | New and unused, Original |
| 文档下载： | SI8900EDB |
| 应用： | - |
| 重量： | - |
| 可替代： | - |
的实时可用性
SI8900EDB-T2-E1
有现货： 51200 个可以在1-2天内寄出。
未来库存：7-10天之内有12000个。
制造商交货时间：8-10周
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- 描述
- 付款方式
- 配送方式
- 产品包装
产品参数
| VGS（TH）（最大）@标识 | 1V @ 1.1mA |
|---|---|
| 供应商设备封装 | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
| 系列 | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压 | - |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体 | 10-UFBGA, CSPBGA |
| 其他名称 | SI8900EDB-T2-E1TR |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 制造商零件编号 | SI8900EDB-T2-E1 |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 展开说明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 1W Surface Mount 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP |
| 电流 - 25°C连续排水（Id） | 5.4A |
其它参数
| 标准包装 | 3,000 |
|---|---|
| 其他名称 | SI8900EDB-T2-E1TR |
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Vishay Siliconix介绍
- Vishay的产品组合是无与伦比的分立半导体（二极管，MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器，电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业，计算机，汽车，消费，电信，军事，航空航天和医疗市场中的所有类型的电子设备和设备。 Vishay很自豪能成为exshinetech.com的主要合作伙伴。